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北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。接下來(lái)小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡(jiǎn)單介紹一下關(guān)于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關(guān)信息！1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點(diǎn)：英飛凌模塊選型的電壓規格...

北京英飛凌IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。功率從五千瓦到幾百千瓦的應用場(chǎng)合。IGBT器件將不斷開(kāi)拓新的應用領(lǐng)域，為節能、為新能源、工業(yè)自動(dòng)化(高頻電焊機,高頻超聲波,逆變器,斬波器,UPS/EPS,感應加熱)提供了新的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電...

1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μ*的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著(zhù)較大的寄生電容（幾千至上萬(wàn)pF），在驅動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能...

北京英飛凌IGBT模塊判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬(wàn)用表測量，若測得阻值為無(wú)窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。北京英飛凌IGBT模塊判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接三菱IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指...

可控硅元件的主要弱點(diǎn)是承受過(guò)電流和過(guò)電壓的能力很差，即使短時(shí)間的過(guò)流和過(guò)電壓，也可能導致可控硅的損壞，所以必須對它采用適當的保護措施。1.過(guò)電流保護可控硅出現過(guò)電流的主要原因是過(guò)載、短路和誤觸發(fā)。過(guò)電流保護有以下三種：*種是快速容斷器：快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當，在同樣的過(guò)電流倍數下，它可以在可控硅損壞前先溶斷，從而保護了晶閘管。第二種是過(guò)電流繼電器：當電流超過(guò)過(guò)電流繼電器的整定值時(shí)，過(guò)電流繼電器就會(huì )動(dòng)作，切斷保護電路。但由于繼電器動(dòng)作到切斷電路需要一定時(shí)間，所...

三相整流橋分為三相全波整流橋（全橋）和三相半波整流橋（半橋）兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對輸出電壓要求不高的整流電路的電容器可裝可不裝。整流這一個(gè)術(shù)語(yǔ)，它是通過(guò)二極管的單向導通原理來(lái)完成工作的，通俗的來(lái)說(shuō)二極管它是正向導通和反向截止，也就是說(shuō)，二極管只允許它的正極進(jìn)正電和負極進(jìn)負電。二極管只允許電流單向通過(guò)，所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流只按單向流動(dòng)，即所謂“整流”，用兩只管是半潑整流，四只是全潑整流。三相整流橋...

三相整流橋的引腳采用純金電鍍，進(jìn)一步增強了引腳的導電、導熱和抗氧化性能，并且增加了它的可焊性和焊接度。采用新型鋁基覆銅板結構，芯片直接焊在鋁基覆銅板上，橋堆工作時(shí)，芯片通電所產(chǎn)生的熱量直接由鋁基板迅速傳給散熱器（熱阻比老結構的MT3516要小很多）。因此大大降低了橋堆自身的殼溫，從面提高了橋堆的實(shí)際工作效率和可靠性及使用壽命。三相整流橋模塊化結構提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時(shí)也可降低裝置的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期，提高企業(yè)的市場(chǎng)競爭力。且模塊的主電子、控制...

目前，恒溫干燥箱廣泛應用于工業(yè)、農業(yè)、醫療、高校及科研行業(yè)中。而2O世紀9O年代前生產(chǎn)的恒溫干燥箱，很多控制電路是由522型直流繼電器、6P1電子管、溫控調節器（或電節點(diǎn)溫度計）、轉換開(kāi)關(guān)及變壓器等組成的，如NXG101一I（202一I）型、NXG101一Ⅲ（202一Ⅲ）型、CS一101型及101型等恒溫干燥箱。但恒溫干燥箱使用時(shí)間一長(cháng)，必然會(huì )有損壞現象發(fā)生。而恒溫干燥箱的損壞其實(shí)基本上是控制電路的損壞。當上述型號的恒溫干燥箱一旦損壞時(shí)，往往因522型直流繼電器、6P1或6P...

生產(chǎn)廠(chǎng)家對IGBT模塊提供的安全工作區有嚴格的限制條件，且IGBT模塊承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒，耐過(guò)流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過(guò)流保護。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線(xiàn)接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。對IGBT模塊的過(guò)流檢測保護分兩種情況：(1)、驅動(dòng)電路中無(wú)保護功能。這時(shí)在主電路中要設置過(guò)流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，通過(guò)電阻兩端...

高壓可控硅軟起動(dòng)器是一種集軟起動(dòng)和多種保護功能于一體的新型高壓電機軟起動(dòng)裝置。它不僅僅能在整個(gè)的起動(dòng)過(guò)程中平滑地起動(dòng)電機，而且可以根據電動(dòng)機的負載的特性來(lái)調節起動(dòng)過(guò)程中的參數，并且它的結構簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、工作可靠，因此在各個(gè)生產(chǎn)領(lǐng)域中得到了越來(lái)越廣泛的應用。在高壓可控硅軟起動(dòng)裝置中，如果選取額定電流太大的高壓可控硅，則沒(méi)有充分利用高壓可控硅的性能，并且裝置成本太高；如果選取額定電流太小的高壓可控硅，則裝置運行不可靠，嚴重時(shí)會(huì )燒毀高壓可控硅。因此，高壓可控硅額定電流的選擇非常關(guān)...

可控硅模塊屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導體開(kāi)關(guān)元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡(jiǎn)稱(chēng)。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)?？煽毓枰卜Q(chēng)作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個(gè)電極、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G?？煽毓柙陔娐分心軌驅?shí)現交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(cháng)、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號也不同。單...

IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過(guò)程1IGBT在結上發(fā)生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環(huán)節影響散熱程度影響因數解決辦法1總發(fā)熱功率zui主要因數運行電流電壓改變電壓電流開(kāi)關(guān)頻率2結殼熱阻次要模塊工藝3殼到散熱器熱阻次要散熱器材料粘貼材料4散熱器到環(huán)境熱阻zui要散熱方式散熱材料散熱方式散熱材料如果IGBT模塊一定時(shí)，IGBT結殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān)...

晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上*晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。晶閘管屬于硅元件，很多人也稱(chēng)它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過(guò)載能力差，因此在使用過(guò)程...

研發(fā)進(jìn)展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時(shí)，各大半導體生產(chǎn)廠(chǎng)商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿(mǎn)足家電行業(yè)的發(fā)...

富士功率模塊選型簡(jiǎn)介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個(gè)IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個(gè)模塊上，在小功率變頻器內（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。富士電機現正常供貨的是S系列7個(gè)單元IGBT。在中國市場(chǎng)上己用了幾年時(shí)間。應用技術(shù)亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現尚在努力之中．現主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機第五代IGBT模塊。...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、...