无码无遮挡刺激喷水视频,男女做爰爱免费视频A片,兽性新人类1,熟妇的荡欲色综合亚洲

產(chǎn)品展示
當前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > IGBT模塊 > TOSHIBA東芝IGBT模塊
  • 900GXHGZ41東芝二極管IGBT模塊

    東芝二極管IGBT模塊

    東芝二極管IGBT模塊900GXHGZ41;鐵路機車(chē)IGBT模塊,TOSHIBA東芝高壓二極管IGBT模塊900GXHGZ41;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售900GXHGZ41

    查看詳細介紹
  • MG900GXH1US53東芝IGBT模塊MG900GXH1US53

    東芝IGBT模塊MG900GXH1US53

    東芝IGBT模塊MG900GXH1US53;TOSHIBA東芝高壓IGBT模塊MG900GXH1US53;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售MG900GXH1US53

    查看詳細介紹
  • MG75Q2YS50TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

    TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

    查看詳細介紹
  • MG200Q2YS40TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

    TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

    查看詳細介紹
  • MG600Q1US41東芝IGBT模塊

    東芝IGBT模塊

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

    查看詳細介紹
  • MG50Q2YS40東芝IGBT模塊MG50Q2YS40

    東芝IGBT模塊MG50Q2YS40

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

    查看詳細介紹
共 6 條記錄,當前 1 / 1 頁(yè)  首頁(yè)  上一頁(yè)  下一頁(yè)  末頁(yè)  跳轉到第頁(yè) 
福海县| 兴宁市| 玉环县| 淅川县| 邢台市| 志丹县| 高青县| 祥云县| 衡东县| 玉树县| 胶南市| 耿马| 阿巴嘎旗| 云浮市| 乌鲁木齐县| 金乡县| 玛多县| 黔西| 比如县| 应用必备| 黑山县| 绩溪县| 井冈山市| 安溪县| 鸡东县| 肥西县| 澎湖县| 佛学| 浪卡子县| 田东县| 鹤岗市| 岐山县| 鄂州市| 门源| 安丘市| 高碑店市| 高州市| 内丘县| 河间市| 城市| 白河县|