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西門(mén)子快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內承受較大的過(guò)載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。西門(mén)子快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會(huì )在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn)，其目的為了使熔絲在過(guò)載情況下迅速斷開(kāi)。西門(mén)子快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當電路電流一過(guò)載，...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用CM200DU-24H三菱IGBT模塊時(shí)額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應該降等使用。CM200DU-24H三菱IGBT模塊發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的...

德國EUPEC晶閘管模塊通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調的電壓或者電流信號，通過(guò)調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調節，實(shí)現模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導通的過(guò)程。德國EUPEC晶閘管模塊zui大的特點(diǎn)，就是將晶閘管主電路與本公司獨立開(kāi)發(fā)的全數字移相觸發(fā)控制電路，巧妙、地集成于一體，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控能力。德國EUPEC晶閘管模塊具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)...

電梯功率模塊是以IGBT為內核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門(mén)極驅動(dòng)電路，以及快速保護電路構成。IPM內的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅動(dòng)電路緊靠IGBT，驅動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開(kāi)關(guān)速度快，損耗小。IPM內部集成了能連續檢測IGBT電流和溫度的實(shí)時(shí)檢測電路，當發(fā)生嚴重過(guò)載甚至直接短路時(shí)，以及溫度過(guò)熱時(shí)，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時(shí)發(fā)出故障信號。此外IPM還具有橋臂對管互鎖、驅動(dòng)電源欠壓保護等功能。盡管IPM價(jià)格高一些，但由于電梯功率模塊集...

富士IGBT-PIM模塊zui早將IGBT模塊引入中國市場(chǎng)。經(jīng)過(guò)幾十年的不斷發(fā)展，半導體器件已成為國內UPS、變頻器、電鍍電源領(lǐng)域獲得了廣泛的應用，已成為經(jīng)典使用器件！富士IGBT-PIM模塊是一款性?xún)r(jià)比非常高的功率模塊，制作精致，價(jià)格低廉，已成為國內進(jìn)口功率模塊的，性能與價(jià)格的結合。IPM是InligentPowerModule的縮寫(xiě)，中文資料一般將其譯為“智能功率模塊”；，IM是PowerIntegratedModule的縮寫(xiě)，中文意思是功率集成模塊。實(shí)際上富士IGBT-...

可關(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家產(chǎn)品也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式?？申P(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管，是大功率半導體半導體的供應商器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器逆變器的供應商使用，用于控制供鐵路車(chē)輛使用的交流牽引電動(dòng)機?？申P(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家可關(guān)斷晶閘管主要特點(diǎn)是當門(mén)極加負向觸發(fā)信號時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管普通晶閘管的...

西門(mén)子快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄片，且具有圓孔狹頸結構。發(fā)生短路故障時(shí)，狹頸處電流密度大，故狹頸處首先熔斷，并被石英砂分隔成許多小段。這樣，由于熔體熔斷而形成的電弧就被石英砂分隔成許多小段，電弧電流較小，分布的空間小，易被消弧劑吸收。又由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后立即形成一個(gè)絕緣體，將電路分斷?？焖偃蹟嗥魇且环N西門(mén)子快速熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體...

可關(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家靠門(mén)極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會(huì )降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家克服了上述缺陷，可關(guān)斷晶閘管廠(chǎng)家既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，又具有自關(guān)斷能力，因而在使用上比普通晶閘管方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)電力晶體管(GTR)，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到...

整流二極管模塊是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來(lái)方便,不僅減小了系統的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間，也大大增強了系統的可靠性，適應了當今功率器件的發(fā)展方向--模塊化、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應用。近二十年來(lái)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)各類(lèi)電力半導體模塊的工藝制造技術(shù)，設計能力，工藝和測...

ST英飛凌IGBT驅動(dòng)功率不足或選擇錯誤可能會(huì )直接導致ST英飛凌IGBT驅動(dòng)和驅動(dòng)器損壞。以下總結了一些關(guān)于IGBT驅動(dòng)器輸出性能的計算方法以供選型時(shí)參考。ST英飛凌IGBT驅動(dòng)電路是驅動(dòng)igbt模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對其進(jìn)行保護的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實(shí)際使用中除ST英飛凌IGBT驅動(dòng)自身外，ST英飛凌IGBT驅動(dòng)的作用對整個(gè)換流系統來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅動(dòng)器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。因此，在...

PM300CLA120三菱IPM模塊功率器件的一些特性：PM300CLA120三菱IPM模塊（InligentPowerModule）不僅把功率開(kāi)關(guān)器件和驅動(dòng)電路集成在一起，。而且還內藏有過(guò)電壓，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU。它由高速低工耗的管芯和優(yōu)化的門(mén)級驅動(dòng)電路以及快速保護電路構成。即使發(fā)生負載事故或使用不當，也可以IPM自身不受損壞。PM300CLA120三菱IPM模塊一般使用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)元件，并內藏電流傳感器及驅動(dòng)電路的集成結構，以其高...

由于西門(mén)康IGBT模塊供應為MOSFET結構，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分，當必須要觸摸西門(mén)康IGBT模塊供應端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用...

可控硅模塊分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有*陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導通。此時(shí)A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓...

北京英飛凌IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。北京英飛凌IGBT模塊適合應用于直流電壓為60...

整流二極管模塊是一種交流電源為直流功率半導體器件。半導體整流二極管的制造可作為鍺或硅材料。整流二極管的主要功能是低頻半波整流電路，如需實(shí)現全波整流橋整流橋連接使用。它通常包含一個(gè)與陽(yáng)極和陰極兩端的一個(gè)。載體區域的磷孔，氮的面積是電子的載體。NP加地區相對面積的正當電壓大電流、低電壓（通常為0.7V），稱(chēng)為正向導通狀態(tài)。如果相反的是反向電壓，小電流（反向漏電流），稱(chēng)為反向阻塞狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向導電性。整流二極管模塊是利用單向導電特性的光合，將交流變?yōu)橹绷骷y波。整流二...

西門(mén)子快速熔斷器廣泛適用于交流會(huì )30/400/690/1000V及其以下,額定工作電流為0.5-12的電氣線(xiàn)路中,作為導線(xiàn)和設備的故障保護。西門(mén)子快速熔斷器的應用領(lǐng)域不斷開(kāi)拓與擴大，已從住宅建筑-電氣安裝，延伸到高層建筑、工業(yè)、供電行業(yè)(EVU)以及設備制造、開(kāi)關(guān)設備與工業(yè)控制系統。西門(mén)子快速熔斷器擔負的主要任務(wù)是為電線(xiàn)電纜作過(guò)載與短路保護，不論短路電流值有多高，它都能切斷。其次，也適宜用作設備和電器的保護。西門(mén)子快速熔斷器能擔負的任務(wù)與使用條件有:·為避免出現不必要的運行事...

整機產(chǎn)量巨大是造成消費電子用IGBT需求量位于五大應用領(lǐng)域*的主要原因，在工業(yè)控制、消費電子、網(wǎng)絡(luò )通信、計算機、汽車(chē)電子領(lǐng)域中，消費電子產(chǎn)品對于IGBT的需求量zui大。憑借著(zhù)較高的單價(jià)，工業(yè)控制用IGBT在銷(xiāo)售量低于消費電子的情況下銷(xiāo)售額實(shí)現反超IGBT是MOS結構雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。鑒于IGBT的參數特性，IGBT開(kāi)發(fā)之初主要應用在電...

伴隨科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和低碳經(jīng)濟的要求，逆變器在各行各業(yè)中應用飛速發(fā)展，而北京英飛凌IGBT模塊,是目前逆變器中使用的主流開(kāi)關(guān)器件，也在逆變結構中起核心作用。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率，改善用電質(zhì)量。新型IGBT逆變技術(shù)是推動(dòng)我國低碳經(jīng)濟發(fā)展戰略的突破口，同時(shí)緩解能源，資源和環(huán)境等方面的壓力，加快轉變經(jīng)濟增長(cháng)方式，促進(jìn)信息化帶動(dòng)工業(yè)化，提高國家經(jīng)濟安全性，起著(zhù)重要作用，因此，北京英飛凌IGBT模塊,在逆變器中的正確選擇與使用，有著(zhù)舉足輕重的作用。逆變技術(shù)對IGBT...

IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成，不同的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk北京英飛凌IGBT模塊。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飛凌IGBT模塊后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左...

由于北京英飛凌IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分，當必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時(shí)雖然保證了柵極驅動(dòng)電壓...