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產(chǎn)品展示
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日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

型    號： MBL1000E33E-B
報    價(jià)： 9999
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日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
3300V IGBT模塊MBN1500E33C

詳細資料：

日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊，風(fēng)機，傳感器，驅動(dòng)板，主控板，電源板，變頻器配件

地鐵機車(chē)變流器配件日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

產(chǎn)品參數：


IGBT 類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：3300 V

電流 - 集電極 (Ic)：1500 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無(wú)

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C

MBN1500E33C

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C

MBN1500E33C

MBN1200D33C

MBN1000GR12A

MBN1200E17D

MBN1200E33D

MBN1200E33E

MBN1500E33E

MBN1800D17C

MBN800E33D

MBN800E33E

MDM1200H45E2-H

MBN1200H45E2-H

MDM800E33D

MBN750H65E2

MDM750H65E2



3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D



日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3


IGBT模塊的優(yōu)勢

IGBT模塊相較于其他功率器件具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢使得它們備受歡迎：
高功率承受能力：由于IGBT模塊內部集成了多個(gè)器件，因此它們能夠處理高功率負載，適用于要求大電流和高功率的應用。
高電壓能力：IGBT模塊的設計允許多個(gè)IGBT器件串聯(lián)工作，因此它們能夠承受高電壓，適用于需要高電壓控制的場(chǎng)合。
高效性能：IGBT模塊具有低導通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現高效的能量轉換。這有助于減少能源浪費和熱量產(chǎn)生。
高開(kāi)關(guān)速度：IGBT模塊具有快速的開(kāi)關(guān)速度，能夠迅速響應控制信號，適用于高頻率應用。
集成驅動(dòng)電路：IGBT模塊通常集成了驅動(dòng)電路，簡(jiǎn)化了系統設計，減少了外部元件的需求。
保護功能：IGBT模塊集成了多種保護功能，提高了系統的穩定性和安全性。
可靠性：IGBT模塊經(jīng)過(guò)精密設計和制造，具有高度的可靠性，適用于惡劣的工作環(huán)境。



綜合上述優(yōu)勢，IGBT模塊已經(jīng)成為能量轉換和電力控制領(lǐng)域的的組成部分，廣泛應用于電機驅動(dòng)、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫療設備等領(lǐng)域。



1700V IGBT模塊型號：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4


FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2


FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4






特征描述

  • 高直流電壓穩定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路電流

  • 低開(kāi)關(guān)損耗

  • 出色的堅固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat，具有正溫度系數

  • 鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力

  • 封裝的 CTI > 600

  • 絕緣基板



日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

產(chǎn)品規格：


產(chǎn)品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過(guò)載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過(guò)載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

優(yōu)勢：

具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應用領(lǐng)域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統

電機控制和驅動(dòng)

商用、建筑和農用車(chē)輛 (CAV)

變頻器

日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

銷(xiāo)售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷(xiāo)德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國B(niǎo)USSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國B(niǎo)HC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無(wú)感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3_S2

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優(yōu)點(diǎn)：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司IGBT模塊MBN1800F33F-C3

IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動(dòng)機

不間斷電源

太陽(yáng)能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3

第七代IGBT型號：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7


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